احداث کارخانه‌های TSMC برای تولید تراشه‌های 3 نانومتری آغاز شد
وقتی در دهه 1960 قانون معروف گوردن مور، به دو برابر شدن تعداد ترانزیستورها در هر سال اشاره داشتند و در اواخر دهه 2000 این قانون رو به نقض پیش رفت دیگر اینطور تصور می‌شد که باید به فکر ساختاری جایگزین برای دنیای اتمی سلیکون‌ها رفت؛ اما شرکت‌های سامسونگ و TSMC نشان داده‌اند که هنوز مور زنده است و باید هر سال منتظر تحولی بزرگ در دنیای ریزتراشه‌ها باشیم.
سال آینده شرکت‌های هواوی با Kirin 990، اپل با Apple A14 و کوالکام به Snapdragon 865 سراغ فناوری می‌آیند که سامسونگ در اختیار دارد و آن هم تولید تراشه‌های سیلیکونی با لیتوگرافی 7 نانومتری و فناوری EUV است.
امسال سامسونگ نتوانست در موعد مقرر فناوری 7 نانومتری خود را به فاز تولید انبوه برساند و به همین دلیل مجبور شد در ساخت تراشه‌های پرچمدار از فناوری 8 نانومتری LPP خود استفاده کند. به همین خاطر TSMC که پیش‌تر فناوری 7 نانومتری DUV را ارائه کرده بود به انتخاب شماره یک شرکت‌هایی مانند هواوی برای تولید Kirin 980، اپل برای تولید A13 Bionic و کوالکام برای تولید Snapdragon 855 تبدیل شد.
در واقع این بازی الاکلنگی سامسونگ و TSMC نشان می‌دهد که دنیای ریزتراشه‌ها تا چه حد رقابتی است و کوچکترین غفلت باعث از دست دادن بازار بزرگی از سوی شرکت‌ها میشود که میلیاردها دلار ارزش دارد.
از سوی دیگر TSMC اعلام کرده که در سال 2021 می‌تواند سفارشات تولید تراشه 5 نانومتری شرکت‌های دیگر را دریافت کند و به همین دلیل باید برای دو نسل بعد نیز حساب TSMC را از سامسونگ جدا کنیم. این بدان معناست که اگر سامسونگ در موعد 12 ماهه باقی مانده حرکت خارق‌العاده‌ای از خود نشان ندهد، قافله 5 نانومتری برای تولید Kirin 1000، Apple A15 و Snapdragon 875 را نیز به نام TSMC بزنیم.
اما همانطور که گفتیم رقابت در این حوزه به حدی شدید است که نباید آن را به نام TSMC تمام کنیم و بس؛ در واقع سامسونگ نیز دست به کار خواهد شد تا فناوری‌های 5 و 3 نانومتری خود را گسترش داده و به فاز تجاری برساند.
به صورت موازی TSMC نیز برنامه‌های بسیار بزرگی برای ساخت کارخانه‌های مورد نظر خود برای احداث خط تولید تراشه‌های 3 نانومتری دارد. در همین راستا این شرکت زمینی بزرگ به اندازه 74 هکتار را در پارک جنوبی علم و فناوری تایوان خریداری کرده تا با سرمایه‌گذاری 19.5 میلیارد دلاری خود بتواند کارخانه مد نظر خود را برپا کند.
چند ماه پیش نیز مدیر عامل TSMC آقای سی سی وِی در مصاحبه‌ای اعلام کرده بود این شرکت با حوصله و به صورت روان، برنامه‌های خود برای ساخت کارخانه تولید تراشه 3 نانومتری را به پیش می‌برد و طی سال‌های 2021 تا 2022 اولین نسل از تراشه‌های با معماری GAA خود را آماده عرضه به بازار می‌کند.
نکته مهمی که در تولید این حجم از ترانزیستور با فشردگی بالا مد نظر قرار گرفته استفاده از روش تولید و سرهم کردن ترانزیستورها در ساختار چند لایه و عمودی است. پیش از این شرکت‌هایی مانند سامسونگ در تولید تراشه‌های حافظه از ساختار NAND چند لایه برای افزایش فشردگی و ساخت بلوک‌ها بیشتر حافظه در یک فضای افقی ثابت استفاده کرده بودند که ورود این فناوری به دنیای پردازنده‌ها می‌تواند موجب تحولی مضاعف گشته و دنیای تراشه‌های پردازشی را دگرگون کند.