تراشه‌های مبتنی‌بر نسل دوم لیتوگرافی ۳ نانومتری GAA سامسونگ سال ۲۰۲۴ به تولید انبوه می‌رسند
انتظار می‌رود نسل دوم فرایند ۳ نانومتری GAA سامسونگ در سال ۲۰۲۴ وارد مرحله‌ی تولید انبوه شود و فروشندگان گوشی‌های هوشمند برای ساخت تراشه‌های مبتنی‌بر لیتوگرافی ۳ نانومتری، همکاری‌های جدیدی را با سامسونگ آغاز کنند.
سامسونگ اخیراً عرضه‌ی نسل اول تراشه‌های ساخته‌شده براساس معماری ۳ نانومتری GAA خود را آغاز کرده است؛ اما درحال‌حاضر هیچ‌یک از فروشندگان گوشی‌های هوشمند به این فرایند جدید علاقه‌ای نشان نداده‌اند و برای سفارش‌های آینده‌ی خود از ظرفیت‌های TSMC بهره می‌برند. بااین‌حال، احتمال دارد سال ۲۰۲۴ شرایط به بهترین شکل تغییر کند؛ زیرا نسل دوم لیتوگرافی ۳ نانومتری GAA بهبود درخورتوجهی خواهد یافت که می‌تواند مشتریان بیشتری برای این فناوری به‌دست آورد.
به‌گزارش WccfTech، اولین سری تراشه‌های مبتنی بر فرایند ۳ نانومتری GAA سامسونگ برای سخت‌افزارهای استخراج رمزارز خواهد بود؛ زیرا اطلاعات فعلی به مشارکت این شرکت در توسعه‌ی سیستم-روی-چیپ‌های (SoC) مخصوص گوشی‌های هوشمند اشاره نمی‌کند. این یعنی سامسونگ دیگر روی ساخت Exynos 2300 کار نخواهد کرد که برای سری گلکسی S23 در نظر گرفته شده بود. غول فناوری کرهای با کوالکام به‌توافق رسیده است تا نسل بعدی پرچم‌داران خود را فقط با تراشه‌های اسنپدراگون عرضه کند.
به‌طور‌کلی، جذب‌نشدن مشتریان برای سامسونگ شکست محسوب میشود؛ زیرا فرایند ۴ نانومتری این شرکت نیز مشکلات فراوانی مثل بازدهی ضعیف داشت و تعجبی ندارد که بسیاری از مشتریان سیستم-روی-چیپ‌های گوشی‌های هوشمند ازجمله کوالکام تصمیم گرفته باشند سفارش‌های ساخت تراشه‌های موردنیاز خود را به TSMC واگذار کنند. البته براساس توییت سروان کندوججالا، حتی اگر مشتریان علاقه‌ای به معماری ۳ نانومتری GAA سامسونگ نشان ندهند، نسل دوم این فرایند می‌تواند دوباره توجه بسیاری از شرکت‌ها را به‌خود جلب کند.
به‌هرحال، سامسونگ مدعی شده است که نسل دوم معماری ۳ نانومتری GAA درمقایسه‌با اولین نسل آن، پیشرفت‌های درخورتوجهی خواهد کرد که ازجمله‌ی آن‌ها می‌توان به کاهش مصرف انرژی تا ۵۰ درصد و افزایش عملکرد تا ۳۰ درصد و کاهش سطح موردنیاز تا ۳۵ درصد اشاره کرد. همه‌ی این پیشرفت‌ها با فرایند ۵ نانومتری سامسونگ مقایسه می‌شوند؛ بنابراین، درحالی‌که سامسونگ تفاوت‌های آماری را بین معماری ۴ نانومتری خود ارائه نمی‌دهد، لیتوگرافی ۳ نانومتری GAA همچنان در بخش‌های مختلف بهبود خواهد یافت.
ممکن است کوالکام برای ساخت تراشه‌های مبنی‌بر معماری ۳ نانومتری GAA، دوباره با سامسونگ همکاری کند؛ اما به‌شرطی‌که TSMC در فرایند ۳ نانومتری خود با مشکل بازدهی مواجه شود. شاید به‌همین‌دلیل شایعه شده است که کوالکام از تأمین‌کنند‌ه‌ی تراشه‌ی سابق خود درخواست کرده است تا درصورت تقاضا، نمونه‌هایی تولید کنند تا ارزیابی شوند و مشخص شود آیا این لیتوگرافی جدید ارزش سفارش مجدد دارد یا خیر.
درحال‌حاضر، سامسونگ محموله‌های تراشه‌های مبتنی‌بر فرایند ۳ نانومتری خود را در تعداد محدود عرضه می‌کند؛ بنابراین، قبل از اعتماد مجدد کوالکام به این برند کرهای، می‌تواند همچنان به‌طورمختصر از لیتوگرافی جدیدش درآمدزایی کند.