TSMC: فناوری 3 نانومتری ما حتی از فناوری 1.8 نانومتری اینتل هم قدرتمندتر است
TSMC امروز با انتشار اطلاعاتی تازه در مورد فناوری‌های تولید تراشه 3 و 2 نانومتری خود بازهم تاکید کرد که آن‌ها از فناوری‌هایی که قرار است اینتل در آینده با استفاده از آن‌ها دست به تولید پردازنده‌های جدید خود بزند نیز پیشرفته‌تر هستند و از نظر قدرت، مصرف بهینه انرژی و همچنین مساحت (PPA) از آن‌ها بهتر عمل می کنند.
اینتل قصد دارد زودتر از TSMC به فناوری‌های 20A یا 2 نانومتری و 18A یا 1.8 نانومتری دست پیدا کند و تراشه‌های جدید خود را با استفاده از آن‌ها به مرحله تولید برساند. اما امروز TSMC که بزرگ‌ترین تولید کننده تراشه در دنیا محسوب میشود اعلام کرد فناوری N3P یا 3 نانومتری آن از نظر عملکرد، مصرف بهینه انرژی و مساحت با فناوری 18A اینتل کاملاً قابل قیاس است. این شرکت همچنین در اظهار نظری جدید اعلام کرده است که فناوری N2 یا 2 نانومتری آن نیز به کلی فناوری 18A را شکست می‌دهد و پشت سر می‌گذارد.
براساس گزارش Tomshardware، مدیر اجرایی TSMC آقای C.C. Wei به تازگی اعلام کرده است: «بررسی‌های داخلی ما نشان می‌دهد فناوری N3P قادر است از نظر قدرت، مصرف انرژی و مساحت، عملکردی مشابه با فناوری 18A اینتل فراهم کند. این فناوری همچنین در زمانی مناسب‌تر به بازار می‌رسد و دارای بلوغ بیشتری است و همچنین قیمت مناسب‌تری را از آن شاهد خواهیم بود. در واقع فناوری 2 نانومتری (N2) ما نیز نسبت به دو فناوری N3P و 18A قدرتمندتر است و پس از معرفی در سال 2025، پیشرفته‌ترین فناوری در زمینه نیمه هادی‌ها محسوب میشود».
اینتل قصد دارد فناوری 20A را در سال 2024 برای تولید نسل جدید از تراشه‌های خود به کار بگیرد. انتظار می‌رود این فناوری به لطف دو قابلیت مهم که ترانزیستورهای RibbonFET Gate-All-Around و Backside Power Delivery Network یا BSPDN نامیده می‌شوند عملکرد بهتر، مصرف انرژی بهینه‌تر و همچنین تراکم ترانزیستوری بالاتری را فراهم کند. این شرکت همچنین قصد دارد در اواخر سال 2024 و یا اوایل 2025، فناوری 18A خود را برای تولید تراشه‌های پیشرفته به کار بگیرد. انتظار می‌رود این فناوری نیز قدرت، بازدهی بهتر انرژی و مساحت (PPA) بیشتری را برای تراشه‌های جدید اینتل به ارمغان بیاورد.
در سمت دیگر فناوری‌های 3 نانومتری TSMC که با عناوین N3، N3E، N3P و N3X شناخته می‌شوند از ترانزیستورهای FinFET و همچنین سیستم انتقال انرژی مشابه با فناوری‌های نسل قبل بهره می‌برند. به نظر می‌رسد این شرکت تایوانی در استفاده از ترانزیستورهای نسل جدید Gate-All-Around یا GAA و همچنین سیستم انتقال انرژی BSPDN عجله‌ای ندارد. قرار است در آینده و در قالب فناوری تولید تراشه 2 نانومتری این شرکت، شاهد استفاده از این دو قابلیت باشیم.
ترانزیستورهای Gate-All-Around در فناوری 2 نانومتری این شرکت و در نیمه دوم سال 2025 برای تولید انبوه تراشه‌ها مورد استفاده قرار می‌گیرد. فناوری انتقال انرژی BSPDN نیز در اواخر سال 2026 و تحت فناوری N2P برای تولید تراشه‌های گوناگون به کار گرفته خواهد شد. TSMC همچنان معتقد است که فناوری سه نانومتری N3P قادر است با قیمتی کمتر، عملکردی مشابه با فناوری 1.8 و 2 نانومتری اینتل فراهم کند. این فناوری در سال 2025 برای تولید انبوه تراشه‌ها مورد استفاده قرار خواهد گرفت.
اینتل تاکنون بارها اعلام کرده است که یکی از مهم‌ترین اهداف آن در سال‌های آینده پیشی گرفتن از TSMC در حوزه فناوری‌های تولید تراشه است. این شرکت قصد دارد پس از به کار گرفتن فناوری‌های پیشرفته برای تولید تراشه‌های جدید از دیگر شرکت‌ها سفارش تولید دریافت کند. اینتل به این منظور باید در پنج سال آینده سه فناوری تولید تراشه جدید را معرفی و راه‌اندازی کند. قرار است تولید انبوه تراشه با استفاده از فناوری‌های 2 و 1.8 نانومتری این شرکت در نیمه دوم سال 2024 یا نیمه اول سال 2025 آغاز شود.