تراشه های حافظه سریعتر و کوچکتر می شوند
محققان با استفاده از آلیاژ همبسته آلومینیوم و انتیموان در نسل آینده دستگاه های حافظه تغییر فاز به زودی فناوری ذخیره اطلاعات را متحول می کنند.
آلیاژ همبسته آلومینیوم و انتیموان به عنوان مواد دوستدار محیط زیست می توانند استفاده از حافظه تغییر فاز (phase-change memory ) را ارتقا دهد، این نوع حافظه موضوع تحقیقات وسیعی بوده تا بتواند گزینه جایگزین حافظه فلش در ذخیره داده ها شود.
حافظه فلش (flash memory) یک نوع حافظه برای ذخیزه کردن اطلاعاتی است که به طور طولانی مدت استفاده می شوند، در مقایسه با انواع حافظه ها، حافظه فلش اطلاعات را بدون اتصال به منبع الکتریکی نگه می دارد.
براساس نتایج این تحقیقات که در مجله مقالات فیزیک کاربردی موسسه فیزیک آمریکا منتشر شده، تراکم ذخیره حافظه در حافظه فلش محدود است و حافظه تغییر فاز می تواند با سرعت بیشتری عمل کند.
مواد تغییر فاز پس از اعمال یک فاز الکتریکی، به سرعت مختل شده و بی نظم به ساختار بلوری تغییر می یابند. این ساختار جدید دارای مقاومت بالای الکتریکی در حالت غیر بلوری و مقاومت پایین در حالت بلوری خود است.
وقتی حافظه فلش کوچکتر از 20 نانومتر شده، عملکرد آن با مشکل مواجه می شود، اما یک دستگاه حافظه تغییر فاز می تواند کوچکتر از 10 نانومتر هم باشد و ظرفیت حافظه آن فشرده شده باشد.
براساس اظهارات زیلین زوو از موسسه میکروسیستم و فناوری اطلاعات شانگهای در آکادمی علوم چین، این ویژگی مهمترین مزیت حافظه تغییر فاز است. اطلاعات به سرعت در حافظه های تغییر فاز نوشته می شود و چنین دستگاه هایی نسبتا ارزان قیمت خواهند بود.