هواوی احتمالا تراشه کرین 970 را با لیتوگرافی ۱۰ نانومتری می‌سازد
هواوی تراشهی کرین ۹۷۰ را با پشتیبانی از باند LTE کلاس Cat. 12 و بر مبنای لیتوگرافی ۱۰ نانومتری می‌سازد.
سازندگان تراشهی گوشی‌های هوشمند همواره در تلاش برای بهبود عملکرد و کاهش ابعاد تراشه‌های خود هستند؛ چرا که تقاضا برای گوشی‌های هوشمندی که مصرف انرژی آن‌ها پایین است و عملکرد قدرتمندی دارند، روز به روز در حال افزایش است. هواوی به‌تازگی تراشهی بالارده‌ی کرین ۹۶۰ را روانه‌ی بازار کرده است؛ اگرچه نتایج تست‌ها نشان از برتری این تراشه نسبت به نسل‌های قبل آن دارد ولی با این حال خبرها حاکی از آن هستند که هواوی در حال کار روی تراشهی کرین ۹۷۰ است.
بر اساس آخرین گزارشها، نسل بعدی تراشهی بالارده‌ی هواوی، نخستین تراشهی این شرکت خواهد بود که با فرایند ۱۰ نانومتری TSMC ساخته میشود. کرین ۹۷۰ احتمالا کماکان بر پایه‌ی معماری هشت هسته‌ای خواهد بود، اما این بار با بیس‌بندی (Baseband) یکپارچه خواهد شد که از شبکه‌ی LTE کلاس Cat. 12 پشتیبانی می‌کند.
تراشهی کنونی کرین ۹۶۰؛ شامل چهار هسته‌ی پردازشی قدرتمند Cortex-A73، چهار هسته‌ی پردازشی کم‌مصرف Cortex-A53 و یک پردازنده‌ی گرافیکی هشت هسته‌ای Mali-G71 است. با این حال کرین ۹۶۰ با لیتوگرافی ۱۶ نانومتری TSMC ساخته شده و اگرچه عملکرد CPU آن بسیار خوب است، اما پردازنده‌ی گرافیکی با تمام ظرفیت خود عمل نمی‌‌کند؛ از این رو گفته میشود که تغییر لیتوگرافی از ۱۶ به ۱۰ نانومتر، با هدف کاهش حرارت و فراهم کردن امکان بهره‌گیری از تمام توان پردازنده‌ی گرافیکی، صورت گرفته است.
هواوی با ساخت تراشهی کرین ۹۷۰ بر مبنای فرایند تولید ۱۰ نانومتری، قصد دارد از روال تراشه‌سازهایی مانند کوالکام پیروی کند که چندی پیش از تراشهی اسنپدراگون ۸۳۵ رونمایی کرد. این پردازنده بر اساس فرایند تولید ۱۰ نانومتری سامسونگ تولید میشود و احتمالا سه‌ماهه‌ی نخست از سال آینده‌ی میلادی و با گوشی گلکسی اس 8 وارد بازار خواهد شد. از سوی دیگر تراشهی هلیو ایکس ۳۰ مدیاتک نیز بر پایه‌ی فرایند ۱۰ نانومتری TSMC تولید میشود که از این تراشه نیز در سه‌ماهه‌ی نخست سال ۲۰۱۷، استفاده خواهد شد. ظاهرا مدیاتک قصد دارد نیمه‌ی اول سال ۲۰۱۷ تراشهی هلیو ایکس ۳۵ را با هدف فراهم کردن امکان پشتیبانی از باند LTE کلاس Cat. 12، عرضه کند.