سامسونگ تولید نسل جدید تراشه ۳ نانومتری را نیمه نخست ۲۰۲۲ آغاز می‌کند
سامسونگ قصد دارد تولید نسل جدید تراشه ۳ نانومتری خود را که در مقایسه با تراشه ۵ نانومتری این برند از ابعادی ۳۵ درصد کوچک‌تر، عملکردی ۳۰ درصد قوی‌تر و ۵۰ درصد کم‌مصرف‌تر بهره خواهد برد، در نیمه نخست سال ۲۰۲۲ آغاز کند.
سامسونگ در پنجمین سالگرد آغاز برگزاری اولین رویداد دیجیتالی «Samsung Foundry Forum» از تصمیم خود برای تولید تراشه‌هایی با معماری جدید خبر داد. این شرکت قصد دارد اولین تراشه طراحی‌شده بر پایه معماری سه نانومتری را برای مشتریان خود در نیمه نخست سال میلادی آینده عرضه کند. در نخستین تراشه سه نانومتری سامسونگ با گره پردازشی Gate-All-Around از ترانزیستورهای MBCFET استفاده شده است.
بازده منطقی این تراشه جدید در حال رسیدن به سطح بازده منطقی تراشه ۴ نانومتری است که در حال حاضر به‌صورت انبوه تولید میشود.
گویا سامسونگ می‌خواهد پا را فراتر از این بگذارد و در زمینه ساخت تراشه تحول عظیمی ایجاد کند؛ زیرا انتظار می‌رود نسل دوم پردازنده ۳ نانومتری این برند نیز در سال ۲۰۲۳ عرضه شود. در ضمن در حال حاضر مراحل اولیه توسعه گره پردازشی پردازنده ۲ نانومتری سامسونگ با ترانزیستور MBCFET نیز آغاز شده است و طبق گفته سامسونگ تولید انبوه آزمایشی این تراشه در سال ۲۰۲۵ آغاز خواهد شد.
سامسونگ قصد داشته عرضه تراشه ۳ نانومتری خود را از اواخر سال ۲۰۲۱ آغاز کند؛ اما ظاهرا مسئولان طراحی و توسعه این تراشه تصور نمی‌کرده‌اند کاهش اندازه تراشه جدید تا این ابعاد در این حد دشوار باشد.
سامسونگ در حال ادامه تلاش برای بهبود فرایند ساخت ترانزیستور فین‌فت (FinFet) است تا بتواند کاهش هزینه تولید تراشه و همچنین تولید تراشه‌های مختلف برای کاربردهای خاص را امکان پذیر کند.
این شرکت روی ترانزیستور فین‌فت ۱۷ نانومتری خود نیز مانور داده و مدعی شده این ترانزیستور در مقایسه با ترانزیستور ۲۸ نانومتری، ۴۳ درصد کوچک‌تر، ۳۹ درصد کارآمدتر و ۴۹ درصد کم‌مصرف‌تر شده است.
بسیاری از شرکت‌های نیازمند تراشه، به دلیل کاهش ذخایر تراشه خود به دلیل پاندمی کرونا، در حال تلاش برای تقویت فرآیندهای تولیدی خود هستند تا بتوانند نیازشان را برطرف کنند. شاید چنین اقدامی در ظاهر کار درستی نباشد، اما نباید فراموش کنیم که ساخت برخی از وسایل الکترونیکی نیازمند بهره‌مندی از جدیدترین فناوری‌های تولیدی است.