اینتل با معرفی گره پردازشی 14A2 و بهره‌گیری از معماری توزیع برق دوطرفه، قصد دارد با TSMC و سامسونگ رقابت کند.

رقابت در بازار ریخته‌گری (Foundry) تراشه‌ها با نزدیک شدن TSMC و سامسونگ به فناوری‌های ۱.۴ نانومتری، به شدت داغ شده است. شرکت TSMC قصد دارد کارخانه‌های تولید A14 خود را از سال آینده راه‌اندازی کند و سامسونگ نیز هدف خود را برای تولید انبوه ۱.۴ نانومتری در سال ۲۰۲۹ تعیین کرده است. در این میان، اینتل آماده است تا فناوری پیشگامانه 14A خود را در سال پیش رو عرضه کند؛ چرا که مشتریان خارجی برای بهره‌مندی از خدمات ساخت و تولیدِ احیاشده این شرکت، صف کشیده‌اند.

همزمان با این تحولات، اینتل درحال بررسی به‌روزرسانی‌هایی برای نقشه راه فناوری ساخت خود است. این به‌روزرسانی‌ها عمدتاً با هدف رویارویی با رقابت پیش رو در برابر TSMC و سامسونگ انجام می‌شود. طبق گزارش ETNews، یکی از این موارد، افزودن یک گره پردازشی کاملاً جدید به نام 14A2 است که نسخه بهینه‌شده‌ای از فناوری استاندارد 14A محسوب می‌شود.

فناوری 14A اینتل از PowerDirect استفاده می‌کند که شبکه‌های توزیع برق در پشت تراشه (BSPDN) را به آن اضافه کرده است. بااین‌حال، گره 14A2 قرار است به یک معماری «دوطرفه» (Dual-Side) مجهز شود که از توزیع برق هم از سمت جلو و هم از سمت پشت تراشه بهره می‌برد. در گره پایه 14A، فاصله اتصالات (M0 pitch) ۲۸ نانومتر است، اما در گره 14A2 این فاصله به ۲۱ نانومتر کاهش خواهد یافت.

طبق گفته منابع صنعتی، اینتل پیش از این قصد داشت فناوری PowerDirect (مختص شبکه‌های توزیع برق پشت تراشه) را بر روی گره پایه ۱.۴ نانومتری خود یعنی 14A اعمال کند، اما گزارش‌ها حاکی از آن است که این شرکت درحال بررسی معرفی معماری «دوطرفه» برای گره بعدی یعنی 14A2 است که از هر دو سمت جلو و پشت برای توزیع برق استفاده می‌کند. این امر از طریق بهبودهایی مانند الگوسازی دوگانه (Double Patterning) امکان‌پذیر می‌شود که علاوه‌بر بهبود توزیع، باعث افزایش چگالی تراشه نیز می‌گردد. از آنجایی که 14A قرار است ۳۰ درصد افزایش در چگالی ترانزیستورها ارائه دهد، می‌توان انتظار چگالی بیشتری را در 14A2 داشت.

اگرچه این پیشرفت به بهره‌وری بیشتر از تجهیزات High-NA EUV کمک کرده و سودآوری هر دستگاه را افزایش می‌دهد، اما کاهش فاصله اتصالات به ۲۱ نانومتر با پیچیدگی‌هایی نظیر افزایش مقاومت الکتریکی همراه است. همچنین، «نانو سوراخ‌های سیلیکونی» (nTSVs) فعلی برای مدیریت این چگالی‌های افزایش‌یافته طراحی نشده‌اند. به همین دلیل گفته می‌شود که اینتل ساختاری ترکیبی را اتخاذ کرده است؛ ساختاری که در آن BSPDN به‌عنوان منبع اصلی توزیع برق عمل می‌کند، اما بخشی از توان نیز به فلزات روی سطح جلویی تراشه اختصاص می‌یابد.

شرکت‌های تولیدکننده نیمه‌رسانا با افزایش تقاضای بی‌سابقه برای محاسبات و هوش مصنوعی، با تمام توان درحال فعالیت هستند. با اشباع شدن TSMC از سفارش‌های متعدد، تولیدکنندگان تراشه درحال روی آوردن به دیگر شرکت‌های ریخته‌گری مانند اینتل و سامسونگ هستند. اینتل درحال‌حاضر اعتمادبه‌نفس بیشتری پیدا کرده، اما همچنان باید در کسب‌وکار تولید نیمه‌هادی، به‌ویژه برای مشتریان خارجی خود، توانایی‌هایش را اثبات کند. در همین راستا، محصولات و گره‌هایی نظیر 18A-P ،14A و اکنون 14A2، تمام نگاه‌ها را به سوی خود جلب کرده‌اند.