ICTna.ir – دولت بریتانیا متعهد شده است که بهترین بخش از 27 میلیون پوند را برای کمک به جاه‌طلبی‌ها در حوزه نیمه‌رسانای این کشور اختصاص دهد. وزارت علوم، نوآوری و فناوری انگلیس (DSIT) در نظر دارد به دو مرکز تحقیق و توسعه نیمه هادی جدید در دانشگاه های جنوب انگلستان، 11 میلیون پوند برای هر یک اعطا کند تا به آنها کمک کند تا فناوری های جدید تراشه را به بازار عرضه کنند. همچنین 4.8 میلیون پوند دیگر، به 11 پروژه مهارت های نیمه هادی در مؤسسات آموزشی کمک مالی می کند.

به گزارش گروه اخبار خارجی آژانس خبری فناروی اطلاعات و ارتباطات (ایستنا)، این اقدام بخشی از استراتژی یک میلیارد پوندی ملی نیمه هادی است که دولت در ماه می سال گذشته اعلام کرد. 26.8 میلیون پوند در مقایسه با این رقم، البته که یک قطره در اقیانوس است، اما این همه پیشرفت تا اینجا است. این 1 میلیارد پوند قرار است در یک دوره 10 ساله، از جمله 200 میلیون پوند در بازه زمانی سالهای 2023 تا 2025 هزینه شود.

دولت انگلیس گفت: همزمان با سالگرد یک سالگی وزارت علوم، نوآوری و فناوری این کشور، دو مرکز تحقیقاتی جدید در ساوتهمپتون و بریستول تزریق نقدی دریافت کردند تا تحقیقات در زمینه فوتونیک سیلیکون و نیمه هادی های ترکیبی را تقویت کنند.

DSIT گفت که تأسیسات REWIRE در دانشگاه بریستول از شرکت‌های تولید تراشه در سراسر جنوب غربی و ولز پشتیبانی می‌کند و با پیشرفت دستگاه‌های الکترونیکی ولتاژ بالا با نیمه‌رساناهای مرکب پیشرفته، به پیشبرد جاه‌طلبی بریتانیا کمک می‌کند. در همین حال، مرکز کورنرستون در ساوتهمپتون بر اساس تخصص دانشگاه در فوتونیک سیلیکون خواهد بود.

ثاقب بهاتی، وزیر فناوری و فناوری انگلیس گفت: این سرمایه‌گذاری گامی مهم در پیشبرد جاه‌طلبی‌های ما برای صنعت نیمه‌رسانا است، زیرا این مراکز به ارائه فناوری‌های جدید به بازار در زمینه‌هایی مانند خالص صفر و هوش مصنوعی کمک می‌کنند و آنها را در اینجا در بریتانیا ریشه‌یابی می‌کنند». اقتصاد دیجیتال

بهاتی گفت: “فقط 9 ماه پس از ارائه استراتژی ملی نیمه هادی ها، ما در حال پیشرفت سریع به سمت اهداف خود هستیم. این فقط در مورد تقویت رشد و ایجاد مشاغل با مهارت بالا نیست، بلکه در مورد موقعیت بریتانیا به عنوان قطب نوآوری جهانی است و زمینه را برای پیشرفت هایی که تأثیر جهانی دارد.”